AGM-Semi (core control source)
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AGMH056N08HM1
AGMH056N08HM1
Número de pieza
AGMH056N08HM1
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-263
Embalaje
taping
Número de paquetes
800
Descripción
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 85V Continuous drain current (Id): 142A Power (Pd): 240W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 4.8mΩ@10V, 40A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 2.6@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 57nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.895nF@40V, Vds=85v Id=142A Rds=4.8mΩ, operating temperature: - 55℃~+150℃@(Tj)
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