La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IPN60R1K0CEATMA1

IPN60R1K0CEATMA1

CONSUMER
Número de pieza
IPN60R1K0CEATMA1
Fabricante/Marca
Serie
CoolMOS™ CE
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-223-3
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-SOT223
Disipación de energía (máx.)
5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 130µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 9558 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIPN60R1K0CEATMA1
IPN60R1K0CEATMA1 Componentes electrónicos
IPN60R1K0CEATMA1 Ventas
IPN60R1K0CEATMA1 Proveedor
IPN60R1K0CEATMA1 Distribuidor
IPN60R1K0CEATMA1 Tabla de datos
IPN60R1K0CEATMA1 Fotos
IPN60R1K0CEATMA1 Precio
IPN60R1K0CEATMA1 Oferta
IPN60R1K0CEATMA1 El precio más bajo
IPN60R1K0CEATMA1 Buscar
IPN60R1K0CEATMA1 Adquisitivo
IPN60R1K0CEATMA1 Chip