Comprar Infineon Technologies IPN60R2K1CEATMA1 MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

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IPN60R2K1CEATMA1

MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

Número de pieza

IPN60R2K1CEATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-223-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT223

Disipación de energía (máx.)

5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Super Junction

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 60µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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