AGM-Semi (core control source)
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AGM038N10A
AGM038N10A
Número de pieza
AGM038N10A
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN5x6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 120A Power (Pd): 147W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.8mΩ@10V,40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 67nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4.739nF@50V, Vds=100V Id=120A Rds=3.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
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