AGM-Semi (core control source)
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AGM056N08C
AGM056N08C
Número de pieza
AGM056N08C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-220
Embalaje
Tube
Número de paquetes
50
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 85V Continuous Drain Current (Id): 120A Power (Pd): 173.6W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.4mΩ@10V,50A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.0V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): [email protected] , Vds=85V Id=120A Rds=4.4 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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