AGM-Semi (core control source)
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AGM042N10D
AGM042N10D
Número de pieza
AGM042N10D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 125W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 65.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.58nF@50V , Vds=100V Id=110A Rds=4.1mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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