AGM-Semi (core control source)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AGM085N10D
AGM085N10D
Número de pieza
AGM085N10D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.0mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 36.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.978nF@50V , Vds=100V Id=80A Rds=8.0mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 51245 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deAGM085N10D
AGM085N10D Componentes electrónicos
AGM085N10D Ventas
AGM085N10D Proveedor
AGM085N10D Distribuidor
AGM085N10D Tabla de datos
AGM085N10D Fotos
AGM085N10D Precio
AGM085N10D Oferta
AGM085N10D El precio más bajo
AGM085N10D Buscar
AGM085N10D Adquisitivo
AGM085N10D Chip